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SI9926BDY

DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SI9926BDY

DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFET

DESCRIPTION Theattachedspicemodeldescribesthetypicalelectrical characteristicsofthen-channelverticalDMOS.Thesubcircuit modelisextractedandoptimizedoverthe?55to125°C temperaturerangesunderthepulsed0to5Vgatedrive.The saturatedoutputimpedanceisbest

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SI9926BDY

DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFETS ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SI9926BDY-HF

DualN-ChannelMOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

SI9926CD

DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET

TFUNKVishay Telefunken

威世威世（VISHAY）集團

SI9926CDY

DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SI9926CDY

DualN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

SI9926CDY

DualN-Channel20V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?100UIStested ?Materialcategorization:? fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?DC/DCconverter? -Gamemachine? -PC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SI9926DY

DualN-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchMOSFET

GeneralDescription TheseN-Channel2.5VspecifiedMOSFETsuseFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V–10V). Features ?6.5A,20V.RDS(ON)=0.030?@VGS=4.5VRDS(ON)=

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

SI9926DY

DualN-ChannelMOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

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更多MSC9926W供應商 更新時間2025-4-1 10:02:00

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