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MSB1218A-RT1G

PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor

ThisPNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.ThisdeviceishousedintheSC--70/SOT--323packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features ?HighhFE,210--460 ?LowVCE(sat),

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MSB1218A-RT1G

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：SC-70，SOT-323 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MSB1218A-RT1

PNPGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSISTORSSURFACEMOUNT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MSB1218A-RT1

PNPGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSISTORSSURFACEMOUNT

ThisPNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.ThisdeviceishousedintheSC–70/SOT–323packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. ?HighhFE,210–460 ?LowVCE(sat),

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MSB1218A-RT1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    500mV @ 10mA，100mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    210 @ 2mA，10V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-70，SOT-323

  • 供應商器件封裝：

    SC-70-3（SOT323）

  • 描述：

    TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
23+
SC-70
3022
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務
 詢價
LRC/樂山
22+
SOT-323
600000
航宇科工半導體-央企優(yōu)秀戰(zhàn)略合作伙伴!
 詢價
MOTOROLA
+
SOT-323
2295
原裝庫存有訂單來談優(yōu)勢
 詢價
ON/安森美
20+
SOT-23
120000
原裝正品 可含稅交易
 詢價
LRC/樂山
24+
SOT-323
156981
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
ONSEMI/安森美
2410+
80000
原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.
 詢價
ONSEMI/安森美
23+
SOT-323-3
360000
專業(yè)供應MOS/LDO/晶體管/有大量價格低
 詢價
ON
24+
SC-70SOT-323
15000
詢價
ON
23+
SOT323
12000
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
SOT-323
23+
NA
15659
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!
 詢價
更多MSB1218A-RT1G供應商 更新時間2024-12-23 11:56:00

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