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MSAGA11F120D

Fast IGBT Die for Implantable Cardio Defibrillator Applications

DESCRIPTION: ·N-ChannelenhancementmodehighdensityIGBTdie ·Passivation:Polyimide,20um,overSiliconNitride,.8um ·EmitterMetallization:Al/1Siforaluminumwirebonding,3.2umtypical. ·Collector/GateMetallization:Ti–Ni(1um)–Ag(0.2um)forsoftsolderattach FEATURES:

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    MSAGA11F120D

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 功能描述:

    MSAGA11F120D - Bulk

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
CTC
23+
SIP
10000
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進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠萬力挺實(shí)單
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更多MSAGA11F120D供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-5 11:09:00