MS1227分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
MS1227 |
參數(shù)屬性 | MS1227 封裝/外殼為M113;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 18V 30MHZ M113 |
功能描述 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS |
文件大小 |
114.49 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
3 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Advanced Power Technology |
企業(yè)簡稱 |
ADPOW |
中文名稱 | Advanced Power Technology官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-12-23 11:22:00 |
MS1227規(guī)格書詳情
DESCRIPTION:
The MS1227 is a 12.5V epitaxial NPN planar transistor designed primarily for SSB communications. This device utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and reliability.
Features
? 30 MHz
? 12.5 VOLTS
? GOLD METALIZATION
? POUT = 20 W MINIMUM
? GP = 15 dB
? COMMON EMITTER CONFIGURATION
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
MS1227
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
18V
- 頻率 - 躍遷:
30MHz
- 增益:
15dB
- 功率 - 最大值:
80W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 1A,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
4.5A
- 工作溫度:
200°C(TJ)
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
M113
- 供應(yīng)商器件封裝:
M113
- 描述:
RF TRANS NPN 18V 30MHZ M113
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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