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MS1227分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MS1227
廠商型號

MS1227

參數(shù)屬性

MS1227 封裝/外殼為M113;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 18V 30MHZ M113

功能描述

RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS

文件大小

114.49 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Advanced Power Technology
企業(yè)簡稱

ADPOW

中文名稱

Advanced Power Technology官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-23 11:22:00

MS1227規(guī)格書詳情

DESCRIPTION:

The MS1227 is a 12.5V epitaxial NPN planar transistor designed primarily for SSB communications. This device utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and reliability.

Features

? 30 MHz

? 12.5 VOLTS

? GOLD METALIZATION

? POUT = 20 W MINIMUM

? GP = 15 dB

? COMMON EMITTER CONFIGURATION

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MS1227

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    18V

  • 頻率 - 躍遷:

    30MHz

  • 增益:

    15dB

  • 功率 - 最大值:

    80W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 1A,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    4.5A

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    M113

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    M113

  • 描述:

    RF TRANS NPN 18V 30MHZ M113

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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