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MRFG35010AN

Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MRFG35010ANT1

Gallium Arsenide PHEMT

3.5GHz,9W,12VPOWERFETGaAsPHEMT DesignedforWLL/MMDS/BWAorUMTSdriverapplications.Characterizedfrom500to5000MHz.DeviceisunmatchedandissuitableforuseinClassABCustomerPremiseEquipment(CPE)applications. ?TypicalSingle-CarrierW-CDMAPerformance:VDD=12Volts,I

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRFG35010ANT1

Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MRFG35010ANR5

Package:NI-360HF;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRFG35010ANT1

Package:PLD-1.5;包裝:托盤 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

35010

22(7/30)AWGTinnedCopper

ALPHAWIREAlpha Wire

阿爾法電線

BIBD35010

MULTI-PORTDouble-SidedEntry.

HUBBELL

HUBBELL INCORPORATED

BIBD35010FX

MULTI-PORTDouble-SidedEntry.

HUBBELL

HUBBELL INCORPORATED

BIBD35010FXMT

MOUNTINGVERSION;MULTI-PORTDouble-SidedEntry.

HUBBELL

HUBBELL INCORPORATED

BIBD35010MT

MOUNTINGVERSION;MULTI-PORTDouble-SidedEntry.

HUBBELL

HUBBELL INCORPORATED

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    MRFG35010AN

  • 功能描述:

    射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型:

    pHEMT

  • 頻率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪聲系數(shù):

    正向跨導(dǎo)

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓:

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    3 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
FREESCALE
24+
PLD-1.5
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現(xiàn)貨供應(yīng)
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原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢
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NXP/恩智浦
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NA
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更多MRFG35010AN供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-26 13:26:00