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MRF951中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MRF951
廠商型號

MRF951

功能描述

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

文件大小

164.79 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-4-29 14:19:00

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MRF951規(guī)格書詳情

DESCRIPTION: Designed for use in high gain, low noise small-signal amplifiers.

Features

? Fully Implanted Base and Emitter Structure.

? High Gain, Gain at Optimum Noise Figure = 14 dB @ 1 GHz

? Low Noise Figure – 1.3dB @ 1GHz

? Ftau - 8.0 GHz @ 6v, 30mA

? Cost Effective Macro X Package

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MRF951

  • 功能描述:

    射頻雙極小信號晶體管 RF Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 配置:

    Single

  • 晶體管極性:

    NPN

  • 最大工作頻率:

    7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    15 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    2 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    0.15 A

  • 功率耗散:

    1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 封裝/箱體:

    SOT-223

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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