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MRF9030分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF9030
廠商型號

MRF9030

參數(shù)屬性

MRF9030 封裝/外殼為NI-360;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 68V 945MHZ NI-360

功能描述

The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

封裝外殼

NI-360

文件大小

547.39 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡稱

Motorola摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-4-10 22:50:00

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MRF9030規(guī)格書詳情

The RF Sub- Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors

N- Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1.0 GHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large- signal, common- source amplifier applications in 26 volt base station equipment.

? Typical Two- Tone Performance at 945 MHz, 26 Volts Output Power ó 30 Watts PEP

Power Gain - 19 dB

Efficiency - 41.5

IMD - -32.5 dBc

? Integrated ESD Protection

? Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 945 MHz, 30 Watts CW Output Power

? Excellent Thermal Stability

? Characterized with Series Equivalent Large- Signal Impedance Parameters

? In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 32 mm, 13 inch Reel.

? Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates 40μ″ Nominal.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF9030LR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    945MHz

  • 增益:

    19dB

  • 功率 - 輸出:

    30W

  • 封裝/外殼:

    NI-360

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-360

  • 描述:

    FET RF 68V 945MHZ NI-360

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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