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MRF8S23120HSR3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
MRF8S23120HSR3 |
參數(shù)屬性 | MRF8S23120HSR3 封裝/外殼為NI-780S;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 2.3GHZ NI-780S |
功能描述 | RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
封裝外殼 | NI-780S |
文件大小 |
449.89 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
14 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Freescale Semiconductor, Inc |
企業(yè)簡稱 |
freescale【飛思卡爾】 |
中文名稱 | 飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-27 17:08:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
MRF8S23120HSR3
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
管件
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
2.3GHz
- 增益:
16dB
- 功率 - 輸出:
28W
- 封裝/外殼:
NI-780S
- 供應(yīng)商器件封裝:
NI-780S
- 描述:
FET RF 65V 2.3GHZ NI-780S
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
上海當(dāng)天發(fā)貨 |
899933 |
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NXP |
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NI780S |
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24+ |
28475 |
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詢價 | |||
NXP USA Inc. |
2022+ |
NI-780S |
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原裝正品現(xiàn)貨 |
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