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MRF6S19120H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF6S19120H
廠商型號

MRF6S19120H

參數(shù)屬性

MRF6S19120H 封裝/外殼為SOT-957A;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 68V 1.99GHZ NI-780

功能描述

RF Power Field Effect Transistors

封裝外殼

SOT-957A

文件大小

444.28 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-11 18:18:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF6S19120HR5

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.99GHz

  • 增益:

    15dB

  • 功率 - 輸出:

    19W

  • 封裝/外殼:

    SOT-957A

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-780H-2L

  • 描述:

    FET RF 68V 1.99GHZ NI-780

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