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MRF6S19100N

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforN-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1930to1990MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplicat

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6S19100NBR1

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforN-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1930to1990MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplicat

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6S19100NR1

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforN-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1930to1990MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplicat

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6S19100NBR1

Package：TO-272BB；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRF6S19100NR1

Package：TO-270AB；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 68V 1.99GHZ TO270-4

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    MRF6S19100N

  • 制造商：

    Freescale Semiconductor

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FREESCALE
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
FREESCALE
24+
170
現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價
NXP/恩智浦
2324+
NA
78920
二十余載金牌老企,研究所優(yōu)秀合供單位,您的原廠窗口
 詢價
FREESCALE
17+
SMD
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
FRESC
24+
410
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Freescale
24+
TO-272
1500
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
FREESCALE
24+
SMD
1680
FREESCALE專營品牌進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價
FLS
1822+
SMD
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險!!
 詢價
FREESCA
2020+
高頻管
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
 詢價
飛思卡爾
23+
TO-59
8510
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
 詢價
更多MRF6S19100N供應(yīng)商 更新時間2025-1-20 17:55:00

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