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MRF5S9101MR1

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforGSMandGSMEDGEbasestationapplicationswithfrequenciesfrom869to960MHz.Suitableformulticarrieramplifierapplications. GSMApplication ?TypicalGSMPerformance:VDD=26Volts,IDQ=700mA,

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF5S9101MR1

Package:TO-270AB;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 68V 960MHZ TO2704

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF5S9101MR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    960MHz

  • 增益:

    17.5dB

  • 功率 - 輸出:

    100W

  • 封裝/外殼:

    TO-270AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-270 WB-4

  • 描述:

    FET RF 68V 960MHZ TO2704

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FREESCALE/飛思卡爾
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更多MRF5S9101MR1供應(yīng)商 更新時間2025-1-26 8:00:00