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MRF5S9101MBR1中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
MRF5S9101MBR1 |
| 參數(shù)屬性 | MRF5S9101MBR1 封裝/外殼為TO-272BB；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 68V 960MHZ TO2724 |
| 功能描述 | RF Power Field Effect Transistors |
| 文件大小 |
541.64 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
20 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Freescale Semiconductor, Inc |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
freescale【飛思卡爾】 |
| 中文名稱 | 飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-11-19 17:07:00 |
MRF5S9101MBR1規(guī)格書詳情
RF Power Field Effect Transistors
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 869 to 960 MHz. Suitable for multicarrier amplifier applications.
GSM Application
? Typical GSM Performance: VDD = 26 Volts, IDQ = 700 mA, Pout =
100 Watts CW, Full Frequency Band (869-894 MHz and 921-960 MHz)
Power Gain - 17.5 dB
Drain Efficiency - 60
GSM EDGE Application
? Typical GSM EDGE Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 650 mA, Pout =
50 Watts Avg., Full Frequency Band (869-894 MHz and 921-960 MHz)
Power Gain — 18 dB
Spectral Regrowth @ 400 kHz Offset = -63 dBc
Spectral Regrowth @ 600 kHz Offset = -78 dBc
EVM — 2.3 rms
? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 960 MHz, 100 W CW Output Power
Features
? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
? Internally Matched for Ease of Use
? Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation
? Integrated ESD Protection
? 200°C Capable Plastic Package
? N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.
? In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
MRF5S9101MBR1
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
960MHz
- 增益：
17.5dB
- 功率 - 輸出：
100W
- 封裝/外殼：
TO-272BB
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-272 WB-4
- 描述：
FET RF 68V 960MHZ TO2724
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSL |
2022 |
SMD |
80000 |
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