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MRF5S21150HR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplications. ?Typical2-CarrierW-CDMAPerformance:VDD=28Volts,IDQ=1300mA,

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF5S21150HR3

Package：NI-880；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI-880

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF5S21150HR3

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    2.11GHz ~ 2.17GHz

  • 增益：

    12.5dB

  • 功率 - 輸出：

    33W

  • 封裝/外殼：

    NI-880

  • 供應商器件封裝：

    NI-880

  • 描述：

    FET RF 65V 2.17GHZ NI-880

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FREESCALE
23+
1688
房間現(xiàn)貨庫存:QQ:373621633
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Freescale
24+
NI-880
750
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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24+
244
現(xiàn)貨供應
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22+
NI880
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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NI-880
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更多MRF5S21150HR3供應商 更新時間2025-3-6 10:30:00

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