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MRF5S21100HSR3中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MRF5S21100HSR3
廠商型號

MRF5S21100HSR3

參數(shù)屬性

MRF5S21100HSR3 封裝/外殼為NI-780S;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S

功能描述

To be Used in class AB for PCN-PCS/cellularradio and WLL applications.

文件大小

395.98 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-11-19 19:32:00

MRF5S21100HSR3規(guī)格書詳情

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular radio and WLL applications.

? Typical 2-carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 1050 mA,

Pout = 23 Watts Avg., Full Frequency Band, Channel Bandwidth =

3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01 Probability on CCDF.

Power Gain — 13.5 dB

Drain Efficiency — 26

IM3 @ 10 MHz Offset — -37 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth

ACPR @ 5 MHz Offset — -40 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2140 MHz, 100 Watts CW Output Power

Features

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? Internally Matched for Ease of Use

? Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation

? Integrated ESD Protection

? Lower Thermal Resistance Package

? Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.

? RoHS Compliant

? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF5S21100HSR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.16GHz ~ 2.17GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 功率 - 輸出:

    23W

  • 封裝/外殼:

    NI-780S

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-780S

  • 描述:

    FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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