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MRF5812R1

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features ?LowNoise-2.5dB@500MHZ ?AssociatedGain=15.5dB@500MHz ?Ftau-5.0GHz@10v,75mA ?CostEffectiveSO-8package

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

MRF5812R1

包裝：帶 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 類別：分立半導體產品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO

MicrosemiMicrosemi Corporation

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產品屬性

  • 產品編號：

    MRF5812R1

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    15V

  • 頻率 - 躍遷：

    5GHz

  • 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）：

    2dB ~ 3dB @ 500MHz

  • 增益：

    13dB ~ 15.5dB

  • 功率 - 最大值：

    1.25W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    50 @ 50mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    200mA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    8-SO

  • 描述：

    RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MRF5812R1供應商 更新時間2024-10-27 9:38:00

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