MRF421分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MRF421 |
| 參數(shù)屬性 | MRF421 封裝/外殼為211-11，2 型；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：TRANS RF NPN 20V 20A 211-11 |
| 功能描述 | The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor |
| 封裝外殼 | 211-11，2 型 |
| 文件大小 |
133.56 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Tyco Electronics |
| 企業(yè)簡稱 |
MACOM |
| 中文名稱 | Tyco Electronics官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-27 10:18:00 |
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MRF421規(guī)格書詳情
The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor
Designed primarily for application as a high–power linear amplifier from 2.0 to 30 MHz.
? Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics —
Output Power = 100 W (PEP)
Minimum Gain = 10 dB
Efficiency = 40
? Intermodulation Distortion @ 100 W (PEP) —
IMD = –30 dB (Min)
? 100 Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MRF421
- 制造商：
MACOM Technology Solutions
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
20V
- 增益：
12dB
- 功率 - 最大值：
100W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 5A，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
20A
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
211-11，2 型
- 供應(yīng)商器件封裝：
211-11，2 型
- 描述：
TRANS RF NPN 20V 20A 211-11
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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