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MRF373ALR1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF373ALR1
廠商型號(hào)

MRF373ALR1

參數(shù)屬性

MRF373ALR1 封裝/外殼為NI-360;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 70V 860MHZ NI-360

功能描述

RF Power Field Effect Transistors

文件大小

481.32 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡稱

Motorola摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-5 9:26:00

MRF373ALR1規(guī)格書詳情

The RF MOSFET Line

RF Power Field Effect Transistors

N- Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen cies from 470 to 860 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large- signal, common source amplifier applications in 28/32 volt transmitter equipment.

? Typical CW Performance at 860 MHz, 32 Volts, Narrowband Fixture

Output Power ó 75 Watts

Power Gain ó 18.2 dB

Efficiency ó 60

? 100 Tested for Load Mismatch Stress at All Phase Angles with 10:1 VSWR @ 32 Vdc, 860 MHz, 75 Watts CW

? Integrated ESD Protection

? Excellent Thermal Stability

? Characterized with Series Equivalent Large- Signal Impedance Parameters

? In Tape and Reel. R1 = 500 units per 32 mm, 13 inch Reel.

? Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates 40μ″ Nominal.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF373ALR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    860MHz

  • 增益:

    18.2dB

  • 功率 - 輸出:

    75W

  • 封裝/外殼:

    NI-360

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-360

  • 描述:

    FET RF 70V 860MHZ NI-360

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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