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MRF1511NT1中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MRF1511NT1
廠商型號

MRF1511NT1

功能描述

RF Power Field Effect Transistor

文件大小

229.05 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

FREESCALE飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-9 16:10:00

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MRF1511NT1規(guī)格書詳情

RF Power Field Effect Transistor

N?Channel Enhancement?Mode Lateral MOSFET

Designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies to 175 MHz. The high gain and broadband performance of this device makes it ideal for large?signal, common source amplifier applications in 7.5 volt portable FM equipment.

? Specified Performance @ 175 MHz, 7.5 Volts

Output Power — 8 Watts

Power Gain — 11.5 dB

Efficiency — 55

? Capable of Handling 20:1 VSWR, @ 9.5 Vdc, 175 MHz, 2 dB Overdrive

? Excellent Thermal Stability

? Characterized with Series Equivalent Large?Signal Impedance Parameters

? Broadband UHF/VHF Demonstration Amplifier Information Available Upon Request

? RF Power Plastic Surface Mount Package

? N Suffix Indicates Lead?Free Terminations

? Available in Tape and Reel.

T1 Suffix = 1,000 Units per 12 mm, 7 Inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MRF1511NT1

  • 功能描述:

    射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS FET PLD1.5N

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 頻率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 輸出功率:

    100 W

  • 封裝/箱體:

    NI-780-4

  • 封裝:

    Tray

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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