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RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF137isaN-ChannelEnhancementMOSFET,DesignedforWidebandLargeSignalOutputandDriverStageApplicationsupto400MHz. | ASI Advanced Semiconductor | ASI | ||
N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET TheRFMOSFETLineRFPowerField-EffectTransistorN–ChannelEnhancement–Mode ...designedforwidebandlarge–signaloutputanddriverstagesupto400MHzrange. ?Guaranteed28Volt,150MHzPerformance OutputPower=30Watts MinimumGain=13dB Efficiency—60(Typical) ? | MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司 | Motorola | ||
RF Power LDMOS Transistors RFPowerLDMOSTransistors N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs These750WCWtransistorsaredesignedforindustrial,scientificandmedical(ISM)applicationsinthe700to1300MHzfrequencyrange.ThetransistorsarecapableofCWorpulsepowerinnarrowbandoperation. Features ? | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司 | nxp | ||
RF Power LDMOS Transistors RFPowerLDMOSTransistors N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs These750WCWtransistorsaredesignedforindustrial,scientificandmedical(ISM)applicationsinthe700to1300MHzfrequencyrange.ThetransistorsarecapableofCWorpulsepowerinnarrowbandoperation. Features ? | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司 | nxp | ||
VHP POWER MOSFET DESCRIPTION: MRF138isaN-ChannelenhancementmodeMOSFET,intendedforusein28Vapplicationsupto175MHz. FEATURES: ?PG=17dBTyp.at30W/30MHz ?30:1LoadVSWRCapability ?Omnigold?MetalizationSystem | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司 | NJSEMI | ||
N-Channel Enhancement Mode VHF POWER MOSFET DESCRIPTION: TheASIMRF138isaN-ChannelenhancementmodeMOSFET,intendedforusein28Vapplicationsupto175MHz. FEATURES: ?PG=17dBTyp.at30W/30MHz ?30:1LoadVSWRCapability ?Omnigold?MetalizationSystem | ASI Advanced Semiconductor | ASI | ||
N-CHANNEL MOS LINEAR RF POWER FET TheRFMOSFETLine RFPowerField-EffectTransistor N–ChannelEnhancement–Mode Designedprimarilyforlinearlarge–signaloutputstagesupto150MHzfrequencyrange. ?Specified28Volts,30MHzCharacteristics OutputPower=150Watts PowerGain=15dB(Typ) Efficiency=40(Typ | MACOM Tyco Electronics | MACOM | ||
The RF MOSFET Line 150W, to 150MHz, 28V Designedprimarilyforlinearlarge–signaloutputstagesupto150MHzfrequencyrange. N–Channelenhancementmode ?Specified28volts,30MHzcharacteristics Outputpower=150watts Powergain=15dB(Typ.) Efficiency=40(Typ.) ?SuperiorhighorderIMD ?IMD(d3)(150WPEP): | MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc. | MA-COM | ||
N-CHANNEL MOS LINEAR RF POWER FET TheRFMOSFETLine RFPowerField-EffectTransistor N–ChannelEnhancement–Mode Designedprimarilyforlinearlarge–signaloutputstagesupto150MHzfrequencyrange. ?Specified28Volts,30MHzCharacteristics OutputPower=150Watts PowerGain=15dB(Typ) Efficiency=40(Typ | MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司 | Motorola | ||
N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET TheRFMOSFETLine RFPowerField-EffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeMOSFET Designedforbroadbandcommercialandmilitaryapplicationsatfrequenciesto175MHz.Thehighpower,highgainandbroadbandperformanceofthisdevicemakespossiblesolidstatetransmittersforFMbroadcas | MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司 | Motorola |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質：
甚高頻 （VHF）_TR
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
36V
- 最大電流允許值：
0.4A
- 最大工作頻率：
220MHZ
- 引腳數：
3
- 可代換的型號：
BFR36,BLW11,3DA21A,
- 最大耗散功率：
1W
- 放大倍數：
- 圖片代號：
C-40
- vtest：
36
- htest：
220000000
- atest：
0.4
- wtest：
1
產品屬性
- 產品編號：
MRF
- 制造商：
L3 Narda-MITEQ
- 類別：
RF/IF，射頻/中頻和 RFID > RF 其它 IC 和模塊
- 包裝：
盒
- 描述：
L3 PRODUCT
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
BEL |
23+ |
NA |
19960 |
只做進口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
ON |
16+ |
SOP8 |
8000 |
原裝現貨請來電咨詢 |
詢價 | ||
FREESCALE |
24+ |
66800 |
原廠授權一級代理,專注汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！ |
詢價 | |||
FREESCAL |
23+ |
模塊 |
3562 |
詢價 | |||
FREESCALE |
05/06+ |
119 |
全新原裝100真實現貨供應 |
詢價 | |||
FREESCALE |
24+ |
SOP16 |
5000 |
全現原裝公司現貨 |
詢價 | ||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
24+ |
NA |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
MOT |
24+ |
SSOP |
2700 |
全新原裝自家現貨優(yōu)勢! |
詢價 | ||
MOTOROLA |
20+ |
高頻管 |
29516 |
高頻管全新原裝主營-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
MOT |
2020+ |
N/A |
2232 |
百分百原裝正品 真實公司現貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價 |
