MPSH81分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MPSH81 |
| 參數(shù)屬性 | MPSH81 封裝/外殼為TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92 |
| 功能描述 | PNP RF Transistor |
| 封裝外殼 | TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA） |
| 文件大小 |
721.37 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
11 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Fairchild Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
Fairchild【仙童半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-4-4 16:20:00 |
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MPSH81規(guī)格書詳情
PNP RF Transistor
This device is designed for general RF amplifier and mixer
applications to 250 mHz with collector currents in the 1.0 mA
to 30 mA range. Sourced from Process 75.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MPSH81
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
PNP
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
20V
- 頻率 - 躍遷：
600MHz
- 功率 - 最大值：
350mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 5mA，10V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
50mA
- 工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-92
- 描述：
RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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