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NCE2333	文件：334.65 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
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NCE2333Y	文件：495.13 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested APPLICATIONS ?ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NCS2333	文件：640 Kbytes Page：15 Pages	LowPower,Zero-DriftOperationalAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NCS2333	文件：1.10583 Mbytes Page：22 Pages	OperationalAmplifier,Zero-Drift,10VOffset,0.07V/C TheNCS333/2333/4333familyofzero?driftopampsfeatureoffset voltageaslowas10Voverthe1.8Vto5.5Vsupplyvoltagerange. Thezero?driftarchitecturereducestheoffsetdrifttoaslowas 0.07V/°Candenableshighprecisionmeasurementsoverbothtime andtemperature.Thisfamil	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NCS2333MNTXG	文件：640.23 Kbytes Page：16 Pages	LowPower,Zero-DriftOperationalAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NCS2333MUTBG	文件：931.65 Kbytes Page：27 Pages	Zero-DriftOperationalAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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NCV2333	文件：1.10583 Mbytes Page：22 Pages	OperationalAmplifier,Zero-Drift,10VOffset,0.07V/C TheNCS333/2333/4333familyofzero?driftopampsfeatureoffset voltageaslowas10Voverthe1.8Vto5.5Vsupplyvoltagerange. Thezero?driftarchitecturereducestheoffsetdrifttoaslowas 0.07V/°Candenableshighprecisionmeasurementsoverbothtime andtemperature.Thisfamil	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTE2333	文件：29.48 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistorforSwitchingPowerApplications Description: TheNTE2333isasiliconNPNPowerTransistorinaTO220packagedesignedforusein220Vline–operatedSwitchmodePowersuppliesandelectroniclightballasts. Features: ?ImprovedEfficiencyDuetoLowBaseDriveRequirements: HighandFlatDCCurrentGainhFE	NTE NTE Electronics	NTE
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更多MP2333HGTL供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-20 15:06:00

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