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MMZ25332BT1

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

1800--2800MHz,26.5dB33dBmInGaPHBT TheMMZ25332Bisa2--stage,highlinearityInGaPHBTbroadbandamplifierdesignedforfemtocell,picocell,WLAN(802.11g/n),W--CDMA,TD--SCDMAandLTEwirelessbroadbandapplications.ItprovidesexceptionallinearityforLTEandW--CDMAairinterfacesw

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MMZ25332BT1

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMZ25332Bisa2--stage,highlinearityInGaPHBTbroadbandamplifierdesignedforfemtocell,picocell,WLAN(802.11g/n),W--CDMA,TD--SCDMAandLTEwirelessbroadbandapplications.Itprovidesexcep

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MMZ25332BT1

包裝：帶 封裝/外殼：12-VFQFN 裸露焊盤 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻放大器 描述：IC AMP LTE 1.8GHZ-2.8GHZ 12QFN

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MMZ25332BT1

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝：

    帶

  • 頻率：

    1.8GHz ~ 2.8GHz

  • P1dB：

    33dBm

  • 增益：

    26.5dB

  • 噪聲系數(shù)：

    5.8dB

  • 射頻類型：

    LTE，TDS-CDMA，W-CDMA

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 5V

  • 電流 - 供電：

    390mA

  • 測試頻率：

    2.5GHz

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    12-VFQFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    12-QFN（3x3）

  • 描述：

    IC AMP LTE 1.8GHZ-2.8GHZ 12QFN

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NXP(恩智浦)
23+
標(biāo)準封裝
7548
全新原裝正品/價格優(yōu)惠/質(zhì)量保障
 詢價
NXP(恩智浦)
23+
N/A
12000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
NXP
24+
QFN12
4000
原裝原廠代理 可免費送樣品
 詢價
NXP/恩智浦
22+
QFN
9800
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
 詢價
NXP
23+
12-VFQFN
8000
原裝現(xiàn)貨 支持實單
 詢價
FREESCAL
23+
QFN12
2967
原廠原裝正品
 詢價
NXP
23+
NA
3800
有掛有貨原裝正品現(xiàn)貨,假一賠十
 詢價
NXP恩智浦
24+
N/A
5000
只做原裝
 詢價
NXP
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
 詢價
Freescale
23+
原廠原封□□□
20000
原廠授權(quán)代理分銷現(xiàn)貨只做原裝正邁科技樣品支持現(xiàn)貨
 詢價
更多MMZ25332BT1供應(yīng)商 更新時間2025-1-1 9:38:00

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