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MMUN2113LT3 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置 ONSEMI/安森美半導體

MMUN2113LT3參考圖片

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原廠料號：MMUN2113LT3品牌：ON Semiconductor

全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷

MMUN2113LT3是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置。制造商ON Semiconductor/onsemi生產(chǎn)封裝SOT-23-3(TO-236)/TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的MMUN2113LT3晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置預偏置雙極晶體管具有內(nèi)部電阻器，設計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作，并產(chǎn)生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量，從而可降低項目成本。

  • 芯片型號：

    MMUN2113LT3

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    LRC【樂山無線電】詳情

  • 廠商全稱：

    Leshan Radio Company

  • 中文名稱：

    樂山無線電股份有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    7 頁

  • 文件大?。?/span>

    145.25 kb

  • 資料說明：

    Bias Resistor Transistors

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MMUN2113LT3

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    PNP - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    80 @ 5mA，10V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    250mV @ 300μA，10mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500nA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 描述：

    TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市鵬順微電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊先生

  • 手機：

    13682380609

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-88850894/13682380609

  • 傳真：

    0755-88850894

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強賽格電子市場69樓6904B-6905A室

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