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MMRF1314H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MMRF1314H
廠商型號

MMRF1314H

參數(shù)屬性

MMRF1314H 封裝/外殼為NI-1230-4S;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻;產(chǎn)品描述:TRANS RF FET 1.4GHZ 1000W 52V

功能描述

RF Power LDMOS Transistors
TRANS RF FET 1.4GHZ 1000W 52V

文件大小

473.24 Kbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-11-5 14:27:00

MMRF1314H規(guī)格書詳情

MMRF1314H屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。恩智浦半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MMRF1314H晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MMRF1314HSR5

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    1.4GHz

  • 增益:

    17.7dB

  • 功率 - 輸出:

    1000W

  • 封裝/外殼:

    NI-1230-4S

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-1230-4S

  • 描述:

    TRANS RF FET 1.4GHZ 1000W 52V

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NXP/恩智浦
2022
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