MMRF1007H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MMRF1007H |
| 參數(shù)屬性 | MMRF1007H 封裝/外殼為NI-1230-4S；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S |
| 功能描述 | RF Power Field Effect Transistors |
| 文件大小 |
855.42 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
17 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-12-25 11:44:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MMRF1007HSR5
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS（雙）
- 頻率：
1.03GHz
- 增益：
20dB
- 功率 - 輸出：
1000W
- 封裝/外殼：
NI-1230-4S
- 供應(yīng)商器件封裝：
NI-1230-4S
- 描述：
FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP Semiconductors |
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