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MML20211HT1

Enhancement Mode pHEMT Technology (E--pHEMT)

EnhancementModepHEMTTechnology(E--pHEMT) LowNoiseAmplifier TheMML20211Hisasingle--stagelownoiseamplifier(LNA)withactivebiasandhighisolationforuseincellularinfrastructureapplications.Itisdesignedforarangeoflownoise,highlinearityapplicationssuchaspicocell,

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MML20211HT1

Low Noise Amplifier

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MML20211HT1

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 類別:RF/IF,射頻/中頻和 RFID 射頻放大器 描述:IC RF AMP LTE 1.4GHZ-2.8GHZ 8DFN

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MML20211HT1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    RF/IF,射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 頻率:

    1.4GHz ~ 2.8GHz

  • P1dB:

    21.3dBm

  • 增益:

    18.6dB

  • 噪聲系數(shù):

    0.65dB

  • 射頻類型:

    LTE,TDS-CDMA,W-CDMA

  • 電壓 - 供電:

    5V

  • 電流 - 供電:

    60mA

  • 測(cè)試頻率:

    2.14GHz

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-VFDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-DFN(2x2)

  • 描述:

    IC RF AMP LTE 1.4GHZ-2.8GHZ 8DFN

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多MML20211HT1供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-7 15:02:00