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MME80R290PRH

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=17A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.29Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MME80R290PRH

800V 0.29(ohm) N-channel MOSFET

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MME80R290P

800V0.29(ohm)N-channelMOSFET

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MMF80R290R

800V0.29?N-channelMOSFET

?Description MMF80R290RispowerMOSFETusingMagnachip’sadvancedsuperjunctiontechnologythatcan realizeverylowon-resistanceandgatecharge.Itwillprovidemuchhighefficiencybyusing optimizedchargecouplingtechnology.Theseuser-friendlydevicesgiveanadvantageoflowEMIto

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MMF80R290RTH

800V0.29?N-channelMOSFET

?Description MMF80R290RispowerMOSFETusingMagnachip’sadvancedsuperjunctiontechnologythatcan realizeverylowon-resistanceandgatecharge.Itwillprovidemuchhighefficiencybyusing optimizedchargecouplingtechnology.Theseuser-friendlydevicesgiveanadvantageoflowEMIto

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更多MME80R290PRH供應(yīng)商 更新時間2025-1-27 15:03:00

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