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MMBTH10-4LT1分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MMBTH10-4LT1
廠商型號

MMBTH10-4LT1

參數(shù)屬性

MMBTH10-4LT1 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3

功能描述

VHF/UHF Transistor
RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3

文件大小

88.02 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-12-27 11:43:00

MMBTH10-4LT1規(guī)格書詳情

MMBTH10-4LT1屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的MMBTH10-4LT1晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

NPN Silicon VHF/UHF Transistor

NPN Silicon

? Device Marking: 3EM

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MMBTH10-4LT1

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    25V

  • 頻率 - 躍遷:

    800MHz

  • 功率 - 最大值:

    225mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 4mA,10V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
22+
SMD
21000
原裝正品
詢價
ON/安森美
21+
SOT-23(SOT-23-3)
8080
公司只做原裝,誠信經(jīng)營
詢價
量大可定ON
20+
SOT23
49000
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
詢價
Onsemi
10+
SG
6000
絕對原裝自己現(xiàn)貨
詢價
ON/安森美
21+
SOT-23(SOT-23-3)
8080
只做原裝,質量保證
詢價
ON/安森美
22+
SOT23
25000
只有原裝絕對原裝,支持BOM配單!
詢價
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
詢價
ON(安森美)
23+
標準封裝
5000
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
詢價
onsemi(安森美)
23+
SOT23(TO236)
7350
現(xiàn)貨供應,當天可交貨!免費送樣,原廠技術支持!!!
詢價
ON原裝正品
21+
SOT23
102000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價