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MMBT5551分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MMBT5551
廠商型號(hào)

MMBT5551
參數(shù)屬性

MMBT5551 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
功能描述

NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
文件大小

261.14 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Pan Jit International Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

PANJIT

中文名稱

強(qiáng)茂股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2024-12-31 23:00:00

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    MMBT5551

  • 別名：

    MMBT5551三極管、MMBT5551晶體管、MMBT5551晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_寬頻帶放大 （A）

  • 封裝形式：

  • 極限工作電壓：

    180V

  • 最大電流允許值：

    0.6A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

  • 可代換的型號(hào)：

  • 最大耗散功率：

    0.3W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    NO

  • vtest：

    180

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.6

  • wtest：

    0.3

MMBT5551規(guī)格書詳情

VOLTAGE 160 Volts POWER 250 mWatts

FEATURES

? NPN Silicon, planar design

? Collector-emitter voltage VCE = 160V

? Collector current IC = 300mA

? Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives.

? Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MMBT5551

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    200mV @ 5mA，50mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    50nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    80 @ 10mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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