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MMBT5551分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

MMBT5551
廠商型號

MMBT5551
參數(shù)屬性

MMBT5551 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為散裝；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
功能描述

NPN High Voltage Transistor
文件大小

376.82 Kbytes
頁面數(shù)量

3 頁
生產(chǎn)廠商 Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.
企業(yè)簡稱

GSME【桂微】

中文名稱

桂林斯壯桂微電子有限責任公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2024-12-22 23:32:00

晶體管資料

  • 型號：

    MMBT5551

  • 別名：

    MMBT5551三極管、MMBT5551晶體管、MMBT5551晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

  • 性質：

    低頻或音頻放大 （LF）_寬頻帶放大 （A）

  • 封裝形式：

  • 極限工作電壓：

    180V

  • 最大電流允許值：

    0.6A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    0.3W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    NO

  • vtest：

    180

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.6

  • wtest：

    0.3

MMBT5551規(guī)格書詳情

■ FEATURES

NPN High Voltage Transistor

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MMBT5551

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    200mV @ 5mA，50mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    50nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    80 @ 10mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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