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MMBT5551分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MMBT5551
廠商型號(hào)

MMBT5551

參數(shù)屬性

MMBT5551 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

功能描述

General Purpose Transistor

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

331.98 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
企業(yè)簡稱

SECOS喜可士

中文名稱

喜可士股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-1-10 23:00:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    MMBT5551

  • 別名:

    MMBT5551三極管、MMBT5551晶體管、MMBT5551晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_寬頻帶放大 (A)

  • 封裝形式:

  • 極限工作電壓:

    180V

  • 最大電流允許值:

    0.6A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

  • 可代換的型號(hào):

  • 最大耗散功率:

    0.3W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    NO

  • vtest:

    180

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.6

  • wtest:

    0.3

MMBT5551規(guī)格書詳情

FEATURES

Power dissipation

PCM: 0.3 W (Tamb=25°C)

Collector current

ICM: 0.6 A

Collector-base voltage

V(BR)CBO: 180 V

Operating and storage junction temperature range

TJ, Tstg: -55°C to +150°C

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MMBT5551

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    200mV @ 5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 10mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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