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MMBT5401-G分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MMBT5401-G
廠商型號

MMBT5401-G

參數(shù)屬性

MMBT5401-G 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 150V 0.6A SOT23-3

功能描述

General Purpose Transistor
TRANS PNP 150V 0.6A SOT23-3

文件大小

105.52 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Comchip Technology
企業(yè)簡稱

COMCHIP典琦

中文名稱

典琦科技股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-22 23:00:00

MMBT5401-G規(guī)格書詳情

MMBT5401-G屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由典琦科技股份有限公司制造生產(chǎn)的MMBT5401-G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

Features

- Epitaxial planar die construction.

- Complementary NPN type available (MMBT5551-G).

- Ideal for medium power amplification and switching.

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MMBT5401-G

  • 制造商:

    Comchip Technology

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 10mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PNP 150V 0.6A SOT23-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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