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MMDT3906	文件：240.65 Kbytes Page：2 Pages	Multi-ChipTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMDT3906	文件：179.25 Kbytes Page：4 Pages	DUALSURFACEMOUNTPNPTRANSISTORS Thisdevicecontainstwoelectrically-isolated2N3906PNPtransistors.ThetwotransistorshavewellmatchedhFEandareencapsulatedinanultrasmallSOT-363(SC70-6L)package.Thisdeviceisidealforportableapplicationswhereboardspaceisatapremium. FEATURES ●ElectricallyIsolatedDu	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT
MMDT3906	文件：184.59 Kbytes Page：4 Pages	DualPNPSmallSignalSurfaceMountTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Idealforlowpoweramplificationandswitching. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Generalswitchingandamplification.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
MMDT3906	文件：195.71 Kbytes Page：2 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features EpitaxialPlanarDieConstruction IdealforLowPowerAmplificationandSwitching Ultra-SmallSurfaceMountPackage	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MMDT3906	文件：59.47 Kbytes Page：3 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?BVCEO>-40V ?IC=-200mAHighCollectorCurrent ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?ComplementaryNPNType:MMDT3904 ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?Ha	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMDT3906	文件：431.4 Kbytes Page：4 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMDT3906	文件：109.38 Kbytes Page：2 Pages	PNPSmallSignalSurfaceMountTransistors Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?IdealforLowPowerAmplificationandSwitching ?Ultra-smallSurfaceMountPackage ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?Epo	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MMDT3906	文件：174.83 Kbytes Page：4 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?IdealforLowPowerAmplificationandSwitching ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ?GreenDevice(Note3and4)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMDT3906	文件：256.25 Kbytes Page：2 Pages	PNPSmallSignalSurfaceMountTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MMDT3906	文件：121.58 Kbytes Page：4 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCMMDT3906isaDualPNPsmallsignalsurfacemounttransistor.It’ssuitableforlowpoweramplificationandswitch. FEATURES SuitableforLowPowerAmplificationandSwitching EpitaxialPlanarDieConstruction *Extremely-SmallSurfaceMountPackage	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
MMDT3906	文件：446.77 Kbytes Page：7 Pages	40VDUALPNPSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMDT3906	文件：285.08 Kbytes Page：2 Pages	PNPSmallSignalSurfaceMountTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MMDT3906	文件：4.06776 Mbytes Page：4 Pages	DUALTRANSISTOR(PNPPNP) DUALTRANSISTOR(PNP+PNP) FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction ●Idealforlowpoweramplificationandswitching	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
MMDT3906	文件：176.23 Kbytes Page：1 Pages	Multi-ChipTRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.2W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司	WINNERJOIN
MMDT3906	文件：148.79 Kbytes Page：4 Pages	DualPNPSmallSignalSurfaceMountTransistor	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
MMDT3906	文件：247.24 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Epitaxialplanardieconstruction Idealforlowpoweramplificationandswitching	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
MMDT3906	文件：667.11 Kbytes Page：4 Pages	DualPNPSmallSignalSurfaceMountTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Idealforlowpoweramplificationandswitching. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Generalswitchingandamplification.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
MMDT3906	文件：262.81 Kbytes Page：5 Pages	DUALTRANSISTOR(PNPPNP)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MMDT3906	文件：1.50347 Mbytes Page：4 Pages	PNPPNPPlastic-EncapsulateTransistors Features Epitaxialplanardieconstruction Idealforlowpoweramplificationandswitching	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺舟電子臺舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
MMDT3906DW	文件：353.55 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ·Epitaxialplanardieconstruction ·Idealforlowpoweramplificationandswitching	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI

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