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MMBT3906LP分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MMBT3906LP
廠商型號(hào)

MMBT3906LP
參數(shù)屬性

MMBT3906LP 封裝/外殼為3-UFDFN；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 40V 0.2A 3DFN
功能描述

40V Matched Pair PNP Small Signal Transistors
絲印標(biāo)識(shí)

1P
封裝外殼

DFN1006-3L / 3-UFDFN
文件大小

1.95167 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 FutureWafer Tech Co.,Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

FUTUREWAFER

中文名稱

FutureWafer Tech Co.,Ltd官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二
更新時(shí)間

2025-4-10 11:12:00
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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MMBT3906LP-7B

  • 制造商：

    Diodes Incorporated

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    400mV @ 5mA，50mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    50nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 10mA，1V

  • 頻率 - 躍遷：

    300MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    3-UFDFN

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    X1-DFN1006-3

  • 描述：

    TRANS PNP 40V 0.2A 3DFN

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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