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MMBFJ309L分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MMBFJ309L
廠商型號

MMBFJ309L

參數(shù)屬性

MMBFJ309L 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3

功能描述

JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor N?Channel
RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3

文件大小

187.57 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-12-28 11:27:00

MMBFJ309L規(guī)格書詳情

MMBFJ309L屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MMBFJ309L晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Features

? Drain and Source are Interchangeable

? S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

Site and Control Change Requirements; AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MMBFJ309LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    N 通道 JFET

  • 額定電流(安培):

    30mA

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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