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MMBA812M6

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR(General Purpose Transistor)

PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR GeneralPurposeTransistor

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

晶體管資料

  • 型號:

    MMBA812M6

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_通用 (G)

  • 封裝形式:

  • 極限工作電壓:

    50V

  • 最大電流允許值:

    0.1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

  • 可代換的型號:

    2SA812M6,3CG120C,

  • 最大耗散功率:

    0.3W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    NO

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0.3

詳細參數(shù)

  • 型號:

    MMBA812M6

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全稱:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR(General Purpose Transistor)

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MMBA812M6供應商 更新時間2025-3-17 17:01:00