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MMA25312B

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMA25312BisahighefficiencyInGaPHBTamplifierdesignedforusein2400MHzISMapplications,WLAN(802.11g),WiMAX(802.16e)andwirelessbroadbandmeshnetworks.Itissuitableforapplications

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MMA25312B

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMA25312Bisa2-stagehighefficiencyInGaPHBTdriveramplifierdesignedforusein2400MHzISMapplications,WLAN(802.11g),WiMAX(802.16e)andwirelessbroadbandmeshnetworks.Itissuitablef

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MMA25312BT1

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

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Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

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恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MMA25312BT1

包裝：散裝 封裝/外殼：12-VFQFN 裸露焊盤 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻放大器 描述：IC AMP WIMAX 2.3GHZ-2.7GHZ 12QFN

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
更多MMA25312B供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-8 16:02:00

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