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MMA20312BT1

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMA20312Bisa2-stagehighefficiency,ClassABInGaPHBTamplifierdesignedforuseasalineardriveramplifierinwirelessbasestationapplicationsaswellasanoutputstageinfemtocellorrep

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MMA20312BT1

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

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nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

MMA20312BT1

Package：12-VFQFN 裸露焊盤；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻放大器 描述：IC AMP LTE 1.8GHZ-2.2GHZ 12QFN

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MMA20312BT1

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 頻率：

    1.8GHz ~ 2.2GHz

  • P1dB：

    28.2dBm

  • 增益：

    27.2dB

  • 噪聲系數(shù)：

    3.3dB

  • 射頻類型：

    LTE，PCS，TD-SCDMA，UMTS

  • 電壓 - 供電：

    5V

  • 電流 - 供電：

    70mA

  • 測試頻率：

    2.14GHz

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    12-VFQFN 裸露焊盤

  • 供應商器件封裝：

    12-QFN（3x3）

  • 描述：

    IC AMP LTE 1.8GHZ-2.2GHZ 12QFN

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MMA20312BT1供應商 更新時間2025-3-31 16:29:00

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