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MMA20312BT1

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMA20312Bisa2-stagehighefficiency,ClassABInGaPHBTamplifierdesignedforuseasalineardriveramplifierinwirelessbasestationapplicationsaswellasanoutputstageinfemtocellorrep

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MMA20312BT1

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

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nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MMA20312BT1

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:12-VFQFN 裸露焊盤(pán) 類(lèi)別:RF/IF,射頻/中頻和 RFID 射頻放大器 描述:IC AMP LTE 1.8GHZ-2.2GHZ 12QFN

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MMA20312BT1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    RF/IF,射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 頻率:

    1.8GHz ~ 2.2GHz

  • P1dB:

    28.2dBm

  • 增益:

    27.2dB

  • 噪聲系數(shù):

    3.3dB

  • 射頻類(lèi)型:

    LTE,PCS,TD-SCDMA,UMTS

  • 電壓 - 供電:

    5V

  • 電流 - 供電:

    70mA

  • 測(cè)試頻率:

    2.14GHz

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    12-VFQFN 裸露焊盤(pán)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    12-QFN(3x3)

  • 描述:

    IC AMP LTE 1.8GHZ-2.2GHZ 12QFN

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多MMA20312BT1供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-25 16:02:00