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MJF3055

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 90 VOLTS 30 WATTS

ComplementarySiliconPowerTransistors ...specificallydesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. ?IsolatedOvermoldPackage(1500VoltsRMSMin) ?ElectricallySimilartothePopularMJE3055TandMJE2955T ?Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)90Volts

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MJF3055

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

MJF3055(NPN) MJF2955(PNP) COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS10AMPERES90VOLTS,30WATTS Specificallydesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. Features ?IsolatedOvermoldPackage(1500VoltsRMSMin) ?ElectricallySimilartothePopular

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJF3055

Complementary Silicon Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJF3055

包裝:散裝 封裝/外殼:TO-220-3 整包 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:TRANS NPN 90V 10A TO220FP

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJF3055_08

Complementary Silicon Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJF3055G

Complementary Silicon Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJF3055G

包裝:管件 封裝/外殼:TO-220-3 整包 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:TRANS NPN 90V 10A TO220FP

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMFT3055E

MEDIUMPOWERTMOSFET1.7AMP60VOLTS

N–ChannelEnhancementMode SiliconGateTMOSE–FET?SOT–223forSurfaceMount ThisadvancedE–FETisaTMOSMediumPowerMOSFETdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdevicealsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MMFT3055E

N-ChannelTMOSE-FETPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMFT3055EL

MEDIUMPOWERLOGICLEVELTMOSFET1.5AMP60VOLTS

MediumPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancementMode SiliconGateTMOSE–FET? SOT–223forSurfaceMount ThisadvancedE–FETisaTMOSpowerMOSFETdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisdeviceisalsodesignedwithalowthresholdvoltagesoi

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MMFT3055V

TMOSPOWERFET1.7AMPERES60VOLTS

TMOSV?SOT-223forSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MMFT3055V

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMFT3055VL

TMOSPOWERFET1.5AMPERES60VOLT

TMOSV?SOT-223forSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MMFT3055VL

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMJD3055

SiliconNPNepitaxialplanerTransistors

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

MTD3055E

TMOSIVN-ChannelEnhancement-ModePowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceorInsertionMount

TMOSPOWERFET8AMPERESRDS(on)=0.15OHM60VOLTS

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTD3055EL

TMOSIVPowerFieldEffectTransistor(N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate)

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTD3055V

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. Features 12A,60V.RDS(ON)=0.15?@VGS=10V Lowgatecharge. Fastswitchingspe

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

MTD3055V

TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.15OHM

N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.15OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour 50an

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTD3055V

PowerMOSFET12Amps,60Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MJF3055

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    2.5V @ 3.3A,10A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 4A,4V

  • 頻率 - 躍遷:

    2MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220FP

  • 描述:

    TRANS NPN 90V 10A TO220FP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
MOT
24+
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1738+
TO-220F
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科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!
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原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
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MOTOROLA/摩托羅拉
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TO-220F
18000
原裝正品
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ON Semiconductor
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TO-220FP
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
詢價(jià)
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