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PMGD370XN

DualN-channelmTrenchMOS?extremelylowlevelFET

1.1Description DualN-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS?technology. 1.2Features 1.3Applications nSurfacemountedpackagenFootprint40smallerthanSOT23 nDualdevicenFastswitching nLowon-stateresistancenLowthresholdvoltag

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PMR370XN

N-channelmTrenchMOS??extremelylowlevelFET

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PMZ370UNE

30V,N-channelTrenchMOSFET

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PMZB370UNE

30V,singleN-channelTrenchMOSFET

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    MJE370

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    30V

  • 最大電流允許值：

    3A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BD176,BD234,BD438,CD32,

  • 最大耗散功率：

    25W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    B-21

  • vtest：

    30

  • htest：

    999900

  • atest：

    3

  • wtest：

    25

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    MJE370

  • 制造商：

    CENTRAL

  • 制造商全稱：

    Central Semiconductor Corp

  • 功能描述：

    SILICON COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多MJE370供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-14 15:30:00

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