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MJE181分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJE181
廠商型號

MJE181

參數(shù)屬性

MJE181 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 60V 3A TO126

功能描述

3 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60-80 VOLTS 12.5 WATTS

文件大小

172.52 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡稱

Motorola摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-23 22:30:00

晶體管資料

  • 型號:

    MJE181

  • 別名:

    MJE181三極管、MJE181晶體管、MJE181晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    3A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BD177,BD187,BD235,BD439,SDD373B,

  • 最大耗散功率:

    12.5W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    B-21

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    12.5

MJE181規(guī)格書詳情

3 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60–80 VOLTS 12.5 WATTS

. . . designed for low power audio amplifier and low current, high speed switching applications.

? Collector–Emitter Sustaining Voltage —

VCEO(sus) = 60 Vdc — MJE171, MJE181

VCEO(sus) = 80 Vdc — MJE172, MJE182

? DC Current Gain —

hFE = 30 (Min) @ IC = 0.5 Adc

hFE = 12 (Min) @ IC = 1.5 Adc

? Current–Gain — Bandwidth Product — fT = 50 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc

? Annular Construction for Low Leakages — ICBO = 100 nA (Max) @ Rated VCB

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MJE181

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.7V @ 600mA,3A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 100mA,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    50MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 3A TO126

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