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MJE15029G分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJE15029G
廠商型號

MJE15029G
參數(shù)屬性

MJE15029G 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS PNP 120V 8A TO220
功能描述

8 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 120??50 VOLTS, 50 WATTS
TRANS PNP 120V 8A TO220
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

79.97 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網
原廠標識
數(shù)據手冊

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更新時間

2025-5-4 15:48:00
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MJE15029G規(guī)格書詳情

MJE15029G屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由安森美半導體公司制造生產的MJE15029G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。

產品屬性

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  • 產品編號：

    MJE15029G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    500mV @ 100mA，1A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 4A，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    30MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    TRANS PNP 120V 8A TO220

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
0N/Toohong
24+
TO-220
56000
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ON
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30000
晶體管-分立半導體產品-原裝正品
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