MJD6039分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料
廠商型號(hào) |
MJD6039 |
參數(shù)屬性 | MJD6039 封裝/外殼為T(mén)O-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK |
功能描述 | Darlington Power Transistors |
文件大小 |
80.32 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
5 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2024-12-22 23:00:00 |
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更多晶體管資料
- 型號(hào):
- 別名:
MJD6039三極管、MJD6039晶體管、MJD6039晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-N+Darl+Di
- 性質(zhì):
低頻或音頻放大 (LF)_開(kāi)關(guān)管 (S)_功率放大 (L
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
80V
- 最大電流允許值:
4A
- 最大工作頻率:
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號(hào):
- 最大耗散功率:
20W
- 放大倍數(shù):
β>1000
- 圖片代號(hào):
A-80
- vtest:
80
- htest:
999900
- atest:
4
- wtest:
20
MJD6039規(guī)格書(shū)詳情
MJD6039屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MJD6039晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開(kāi)關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
MJD6039T4G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
剪切帶(CT)帶盒(TB)
- 晶體管類型:
NPN - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
2.5V @ 8mA,2A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
10μA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
500 @ 2A,4V
- 工作溫度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝:
DPAK
- 描述:
TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
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