MJD42C1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MJD42C1G |
| 參數(shù)屬性 | MJD42C1G 封裝/外殼為TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 100V 6A IPAK |
| 功能描述 | isc Silicon PNP Power Transistor |
| 封裝外殼 | TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA |
| 文件大小 |
295.89 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
| 企業(yè)簡稱 |
ISC【無錫固電】 |
| 中文名稱 | 無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-24 20:00:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MJD42C1G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
管件
- 晶體管類型：
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.5V @ 600mA，6A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
50μA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 3A，4V
- 頻率 - 躍遷：
3MHz
- 工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
- 供應(yīng)商器件封裝：
I-PAK
- 描述：
TRANS PNP 100V 6A IPAK
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
NA/ |
15000 |
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23+ |
IPAK |
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詢價(jià) | ||
ONS |
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DPAK-3 |
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只做原裝正品 |
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