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MJD42C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MJD42C
廠商型號(hào)

MJD42C

參數(shù)屬性

MJD42C 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 100V 6A DPAK

功能描述

100 V, 6 A PNP high power bipolar transistor

絲印標(biāo)識(shí)

MJD42C

封裝外殼

DPAK / TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

230.14 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-8 20:52:00

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晶體管資料

  • 型號(hào):

    MJD42C

  • 別名:

    MJD42C三極管、MJD42C晶體管、MJD42C晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (PA)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

  • 最大電流允許值:

    6A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    G-217

  • vtest:

    0

  • htest:

    999900

  • atest:

    6

  • wtest:

    20

MJD42C規(guī)格書詳情

Features and benefits

? High thermal power dissipation capability

? High energy efficiency due to less heat generation

? Electrically similar to popular MJD42 series

? Low collector emitter saturation voltage

? Fast switching speeds

Applications

? Power management

? Load switch

? Linear mode voltage regulator

? Constant current drive backlighting application

? Motor drive

? Relay replacement

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MJD42C

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.5V @ 600mA,6A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    50μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 3A,4V

  • 頻率 - 躍遷:

    3MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS PNP 100V 6A DPAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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