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MJD42C-251

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=-1.5V(Max)@IC=-6A ·ComplementtoTypeMJD41C APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多MJD42C-251供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-28 16:33:00