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MJD18002D2T4G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 450V TR F華來深電子
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
MJD18002D2T4G
- 功能描述:
兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 450V TR F
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO:
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT:
直流集電極/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
- 封裝/箱體:
PowerFLAT 2 x 2
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市華來深電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
朱先生
- 手機(jī):
13751106682
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-83238902/15013580756
- 傳真:
0755-83972189
- 地址:
深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)205棟4樓4A15/門市部:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路國利大廈新亞洲二期N2B227
相近型號(hào)
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