在线视频一区二区三区不卡,亚洲AV成人无码久久精品在,911香蕉视频

首頁 >MJ3055>規(guī)格書列表

零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
MJ3055	文件：14.38 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
MJ3055	文件：144.41 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MJB3055	文件：249.08 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MJD3055	文件：147.11 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistors MJD2955(PNP) MJD3055(NPN) SILICONPOWERTRANSISTORS10AMPERES60VOLTS,20WATTS DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features ?LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) ?Strai	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD3055	文件：91.77 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION TheMJD2955andMJD3055formcomplementaryPNP-NPNpairs.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPES ■SURFACE-MOUNTINGTO-252(DPAK) POWERPACKAGEINTAPE&REEL (SUFFIXT4)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
MJD3055	文件：44.86 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeAmplifierLowSpeedSwitchingApplicationsD-PAKforSurfaceMountApplications GeneralPurposeAmplifier LowSpeedSwitchingApplications D-PAKforSurfaceMountApplications ?LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) ?StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) ?ElectricallySimilartoPopularMJE3055T ?DCCurrentGainSpecifiedto10A ?HighCurrentGain-	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MJD3055	文件：188.18 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYPOWERTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
MJD3055	文件：78.33 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistorsDPAKForSurfaceMountApplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD3055	文件：123.1 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD3055	文件：80.34 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN)	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MJD3055	文件：265.67 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ?ExcellentSafeOperatingArea ?Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.1V(Max)@IC=4A ?ComplementtoTypeMJD2955 ?DPAKforSurfaceMountApplications ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Designed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MJD3055	文件：138.37 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD3055	文件：1.45845 Mbytes Page：3 Pages	TO-251-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeedSwitchingApplications ●ElectricallySimiartoMJE3055 ●DCCurrentGainSpecifiedto10A	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
MJD3055	文件：2.49044 Mbytes Page：5 Pages	TO-252-2LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES DesignedforGeneralPurposeAmplifierdanLowSpeed SwitchingApplications ElectricallySimiartoMJE3055 DCCurrentGainSpecifiedto10Amperes	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
MJD3055	文件：279.65 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.1V(Max)@IC=4A ·ComplementtoTypeMJD2955 APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MJD3055	文件：298.71 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.1V(Max)@IC=4A ·ComplementtoTypeMJD2955 APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MJD3055G	文件：78.33 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistorsDPAKForSurfaceMountApplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD3055G	文件：123.1 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD3055G	文件：138.37 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD3055G	文件：184.12 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistors ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features ?LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) ?StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“?1”Suff	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

12 3 >>>

詳細參數(shù)

型號：
MJ3055
制造商：
SEME-LAB
制造商全稱：
Seme LAB
功能描述：
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市弘為電子有限公司	MJ3055	MOT/ON	16+	TO-3	2000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	MJ3055		24+		5000	公司存貨	詢價
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	MJ3055	MOT/ON	專業(yè)鐵帽	TO-3	2000	原裝鐵帽專營,代理渠道量大可訂貨	詢價
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	MJ3055	MOT/ON	專業(yè)鐵帽	TO-3	67500	鐵帽原裝主營-可開原型號增稅票	詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	MJ3055	ON	24+	DIP	16800	絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	MJ3055	ST/意法	23+	TO-3P	13000	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
深圳市賽特興科技有限公司	MJ3055	ST	23+	TO-3P	16900	正規(guī)渠道,只有原裝!	詢價
中科航電（深圳）電子集團有限公司	MJ3055	ST		TO-3P	36900	集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)	詢價
深圳市星佑電子有限公司	MJ3055	ST	22+	TO-3P	16900	支持樣品原裝現(xiàn)貨提供技術(shù)支持!	詢價
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	MJ3055		24+	N/A	69000	一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇	詢價

更多MJ3055供應(yīng)商更新時間2024-12-26 8:00:00

詳細參數(shù)

相關(guān)規(guī)格書

相關(guān)庫存