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MJ14001G分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJ14001G
廠商型號

MJ14001G
參數(shù)屬性

MJ14001G 封裝/外殼為TO-204AE；包裝為托盤；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS PNP 60V 60A TO204
功能描述

High??urrent Complementary Silicon Power Transistors
TRANS PNP 60V 60A TO204
封裝外殼

TO-204AE
文件大小

96.22 Kbytes
頁面數(shù)量

5 頁
生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-31 15:08:00

MJ14001G規(guī)格書詳情

MJ14001G屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由安森美半導體公司制造生產的MJ14001G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。

產品屬性

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  • 產品編號：

    MJ14001G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    3V @ 12A，60A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    15 @ 50A，3V

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-204AE

  • 供應商器件封裝：

    TO-204（TO-3）

  • 描述：

    TRANS PNP 60V 60A TO204

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