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MICRORD-SMA-10020-GEVB	文件：1.47262 Mbytes Page：9 Pages	NIR-Enhanced, Single Pixel Silicon Photomultiplier (SiPM)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MICRORD-SMTPA-10020-GEVB	文件：1.47262 Mbytes Page：9 Pages	NIR-Enhanced,SinglePixelSiliconPhotomultiplier(SiPM)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJ10020	文件：101.44 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPowerDarlingtonTransistorswithBase-EmitterSpeedupDiode SWITCHMODESeries NPNSiliconPowerDarlingtonTransistorswithBase-EmitterSpeedupDiode TheMJ10020andMJ10021Darlingtontransistorsaredesignedforhigh-voltage,high-speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedforlineoperateds	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MJ10020	文件：293.82 Kbytes Page：8 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS SWITCHMODE?Series NPNSiliconPowerDarlingtonTransistorswithBase-EmitterSpeedupDiode TheMJ10020andMJ10021Darlingtontransistorsaredesignedforhigh–voltage,high–speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedforlineoperated	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJ10020	文件：293.82 Kbytes Page：8 Pages	60AMPERENPNSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS200AND250VOLTS250WATTS SWITCHMODESeries NPNSiliconPowerDarlington TransistorswithBase-EmitterSpeedupDiode TheMJ10020andMJ10021Darlingtontransistorsaredesignedforhigh–voltage,high–speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedforlineoperated	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MJ10020	文件：211.84 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORS(60A,200-250V,250W)	MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司	MOSPEC
MJ10020	文件：1.85377 Mbytes Page：10 Pages	NPNSiliconPowerDarligtonTransistorwithBase-EmitterSpeedupDiode60AMPERE,200AND250VOLTS,250WATTS FEATURES: 1.FastTurn–OffTimes 150nsInductiveFallTimeat25oC(Typ) 750nsInductiveStorageTimeat25oC(Typ) 2.OperatingTemperatureRange–65to+200oC 3.100oCPerformanceSpecifiedfor: ReversedBiasedSOAwithInductiveLoads SwitchingTimeswithInductiveLoads Saturatio	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
MMAJ-10020LA	文件：127.15 Kbytes Page：3 Pages	LightningSurgeProtectorsforElectronicsEquipmentM-RESTER	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 愛模愛模系統(tǒng)有限公司	MSYSTEM
MMAJ-10020LY	文件：127.15 Kbytes Page：3 Pages	LightningSurgeProtectorsforElectronicsEquipmentM-RESTER	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 愛模愛模系統(tǒng)有限公司	MSYSTEM
MMAJ-10020MA	文件：127.15 Kbytes Page：3 Pages	LightningSurgeProtectorsforElectronicsEquipmentM-RESTER	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 愛模愛模系統(tǒng)有限公司	MSYSTEM
MMAJ-10020MY	文件：127.15 Kbytes Page：3 Pages	LightningSurgeProtectorsforElectronicsEquipmentM-RESTER	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 愛模愛模系統(tǒng)有限公司	MSYSTEM
MUR10020	文件：124.64 Kbytes Page：3 Pages	100AmpSupreFastRecoveryRectifier50to600Volts Features ?HighSurgeCapability ?LowLeakage ?LowForwardVoltageDrop ?HighCurrentCapability ?SupreFastswitchingforhighefficiency	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MUR10020CT	文件：620.3 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECTIFIERS ULTRAFASTSWITCHMODEPOWERRECTIFIER ...designedforuseinswitchingpowersupplies,inverters,andasfreewheelingdiodes.Thesestate-of-the-artdeviceshavethefollowingfeatures: ●DualDiodeConstruction ●LowLeakageCurrent ●LowForwardVoltage ●175°COperatingJunctionTemperatu	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MUR10020CT	文件：113.75 Kbytes Page：3 Pages	100AmpSupreFastRecoveryRectifier50to600Volts Features ?HighSurgeCapability ?LowLeakage ?LowForwardVoltageDrop ?HighCurrentCapability ?SupreFastswitchingforhighefficiency	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MUR10020CT	文件：403.28 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS Features ?HighSurgeCapability ?Typesupto600VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MUR10020CT	文件：138.8 Kbytes Page：2 Pages	SuperFastRecoveryDiode,100A Features ?DualDiodeConstruction ?LowLeakageCurrent ?Lowforwardvoltagedrop ?Highsurgecurrentcapability ?SuperFastSwitching	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MUR10020CT	文件：391.03 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode Features ?HighSurgeCapability ?Typesfrom50Vto200VVRRM ?NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR10020CT	文件：693.08 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR10020CTR	文件：693.08 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR10020CTR	文件：138.8 Kbytes Page：2 Pages	SuperFastRecoveryDiode,100A Features ?DualDiodeConstruction ?LowLeakageCurrent ?Lowforwardvoltagedrop ?Highsurgecurrentcapability ?SuperFastSwitching	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	MICROREADLS16-C7	INSIDESECURE	23+	QFN32	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	MICROREADLS16-C7	INSIDESECURE	23+	QFN	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	MICROREADLS16-C7	INSIDESECURE	2022	QFN32	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	MICROREADLS16-C7	INSIDESECURE	14+	QFN	10000	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市科翼源電子有限公司	MICROREADLS16-C7	INSIDESECURE	23+	QFN	12500	原廠原裝正品	詢價(jià)
深圳市晨豪科技有限公司	MICROREADLS16-C7	INSIDESECURE	23+	QFN-32	89630	當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市宏興瑞科技有限公司	MICROREADLS16-C7	INSIDESECURE	23+	原裝正品現(xiàn)貨	10000	QFN	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	MICROSD	MICRO	2209+	SD	3015	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
海芯未來半導(dǎo)體電子（深圳）有限公司	MICROSD	MICRO	24+	SD	100	只做原裝進(jìn)口!正品支持實(shí)單!	詢價(jià)
深圳市華博特電子有限公司	MicroSD	國(guó)產(chǎn)	2023	CON-TF-CARD	4202	原廠代理渠道,正品保障	詢價(jià)

更多MICRORD-SMA-10020-GEVB供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-18 10:59:00

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